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初代半導體材料主要是指硅（Si）、鍺（Ge）這類半導體材料，主要興起于二十世紀五十年代，其興起也帶動了以集成電路為中心的微電子產業的快速發展(星宇佳科技），并被廣泛的應用于消費電子、通信、光伏、軍事以及航空航天等多個領域。

第二代半導體材料是以砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）為主的化合物半導體，其主要被用于制作高頻、高速以及大功率電子器件，在衛星通訊、移動通訊以及光通訊等領域有較為廣泛的應用。

第三代半導體材料包括了以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導體。相比于初代及第二代半導體材料，第三代半導體材料在耐高溫、耐高壓、高頻工作，以及承受大電流等多個方面具備明顯的優勢（星宇佳科技），因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，在電力電子器件、微波射頻等領域的應用優勢更為明顯。

GaN作為第三代半導體材料的代表，在電源管理、功率輸出方面具有明顯的技術優勢。在 650伏特左右電壓下，其在芯片面積、電路效率和開關頻率方面明顯優于硅，這使電源產品更為輕薄、高效。并且GaN 充電器體積小、效率高、發熱量小，有望在未來統一快充充電器市場（星宇佳科技），預計在2024 年 GaN 電源市場規模將超過 3.5 億美元，CAGR達 85％，市場前景廣闊。

同時國家對于第三代半導體產業發展提供了持續不斷的政策方面的支持，2016年，國務院推出了《國務院關于印發“十三五”國家科技創新規劃的通知》，其中首次提到要加快第三代半導體芯片技術與器件的研發（星宇佳科技）；2019 年 6 月商務部及發改委在鼓勵外商投資名單中增加了支持引進 SiC 超細粉體外商企業；2019年 11 月工信部印發《重點新材料首批次應用示范指導目錄》，其中 GaN 單晶襯底、功率器件用 GaN 外延片、SiC 外延片，SiC 單晶襯底等第三代半導體產品進入目錄；2019 年 12 月國務院在《長江三角洲區域—體化發展規劃綱要》中明確要求加快培育布局第三代半導體產業，推動第三代半導體產業高質量發展。

時代速信在此背景下形成了以碳化硅基氮化鎵和硅基氮化鎵為中心的產品布局，并成功地推出了SiC-GaN射頻芯片和Si-GaN電力電子功率器件，推動GaN市場發展。

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