射頻器件是無線通信設備的基礎性零部件，在無線通信中扮演著兩個重要的角色：首先是在發射信號的過程中，能將二進制信號轉換成高頻率的無線電磁波信號；其次是在接收信號的過程中，能將收到的電磁波信號轉換成二進制數字信號。射頻前端主要包括射頻開關、濾波器、雙工器、PA（功率放大器）、LNA（低噪聲放大器）等器件。
而近年來，quan球射頻開關市場保持快速增長態勢。射頻開關，又稱為微波開關，它是構成射頻前端的一種芯片，主要作用在于通過控制邏輯，實現對不同方向（接收或發射）、不同頻率的信號進行切換，以達到共用天線、節省終端產品成本的目的。按照刀數和擲數，射頻開關可以分為單刀單擲(SPST)、單刀雙擲(SPDT)、單刀多擲(SPNT)、多到多擲(NPNT)。接下來我們就來講一講如何選擇合適的射頻開關。
CKRF2179MM26是pHEMT GaAs SPDT(單刀雙擲)開關。這設備運行頻率為0.05 ~ 3.0GHz，具有低插入損耗和高隔離性。
AS179-92LF是一種pHEMT GaAs FET單刀雙擲開關。該裝置具有插入損耗小、正極好等特點極低直流功耗的電壓操作，低成本封裝sc70-6(2.00 x 1.25 mm)。
UPG2179TB是日本RENESAS生產的砷化鎵MMIC L s波段領域開關(單刀雙擲)。該裝置的工作電壓為2.5 ~ 5.3 V。這個裝置的工作范圍從0.05到3.0 GHz，低插入損耗，高隔離。但是目前已經停產，新產品不作主推。
PE4259 UltraCMOS RF開關的設計涵蓋10MHz的廣泛應用范圍通過3000 MHz。這個反射開關板載CMOS低電壓控制邏輯cmos兼容的控制接口，并可以使用單引腳或互補控制控制輸入。使用標稱%2B3V電源電壓，一個典型的輸入1dB的壓縮點%2B33.5 dBm可以實現。PE4259是在Peregrine 's上生產的超微半導體工藝，硅的zhuan利變種藍寶石上的絕緣體(SOI)技術襯底，提供了砷化鎵的性能傳統CMOS的經濟性和集成度。
ATR5179是動能世紀的一款采用 pHEMT GaAs 工藝制作的單刀雙擲開關單芯片，芯片內部電路結構簡單，該芯片的推薦工作頻率為 20MHz-4GHz，開關芯片采用單電源 供電控制，有非常低的電流功耗，開關開啟工作時有非常低的插入損耗。
性能參數對比：
結語:從以上AS179-92、PE4259、CKRF2179MM26等各類射頻開關選型對比分析，這幾款射頻開關相對來說，目前ATR5179的性價比是比較高的，行業內的使用體量也不少，各廠家可以根據對應的產品相應地選擇適合自己產品的射頻開關。另外，未來隨著封裝尺寸的減小，整體射頻器件也呈現出模組化的趨勢，未來射頻開關性能和單機價值量有望進一步提升。